アクセス／クライアントネットワーク用光半導体製品
NTTイノベーティブデバイスは、アクセスネットワークやクライアントネットワーク用に、高感度25Gbaud InPベースAPD CoC（チップオンキャリヤ）、10G PON (ITU/IEEE) アクセスネットワークのためのSiGベースバーストモードTIAチップ、さらには高出力EML (Electro-absorption Modulator Integrated Laser Diode) も提供しています。これらの卓越したパフォーマンスをもつ製品をご利用いただくことで、イーサネットや5G用バックホール／フロントホールの大容量化、長延化、またPONアクセスの長延化・高ポート化に貢献し、コスト効率に優れたネットワークインフラ導入を可能とします。
25Gbps
アバランシェフォト
ダイオード(APD)
SOA集積高光出力
EA-DFBレーザ
ダイオード
10G/1Gbps
バーストモードTIA
10G/2.5G/1Gbps
バーストモードTIA
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25Gbpsアバランシェフォトダイオード (APD)
- 概要
- アプリケーション
- 特長
25Gbaud APDは、5GおよびイーサネットのMFH/MBH向けに、低消費電力と10kmを超える伝送距離（FEC無しでおおよそ30km、FEC有りで40km）の拡張を実現するコスト効率の高いソリューションを提供します。NTTイノベーティブデバイスでは、NRZおよびPAM4用の光サブアセンブリ (OSA) 部品として、InP-APDチップオンキャリア (CoC) を提供しています。
APDの採用により、光増幅器を用いたPINと比較して、より低電力消費を実現可能です。
- 25G/50G/100G/200Gbps対応のEthernetやアクセスNW (PON)
- InP材料を用いた25GBaud対応APD
- IEEE規格の25.78GbpsとITU-T規格の27.95Gbpsに対応
- 高い増倍感度、高Overload耐性
- NRZとPAM4に利用可能
SOA集積高光出力EA-DFBレーザダイオード
- 概要
- アプリケーション
- 特長
高出力EMLは、SOAとモノリシックに統合されたEA-DFBレーザで構成されます。SOA搭載により低消費電力で伝送距離の拡張が可能です。25Gbaud EMLチップは+9dBm (OMA) の光出力電力を実現出来、LAN-WDMおよび5Gアプリケーションに最適です。PON用の10G EMLチップも対応可能です。NTTイノベーティブデバイスは、NRZおよびPAM4向けの光サブアセンブリ (OSA) の構成部品として、高電力EMLチップオンキャリア (CoC) を提供する事が可能です。
SOA集積EMLにより、従来のEMLと比較してチップレベルで約50％の消費電力削減を実現しました。
- 10G EML : 10G-EPON、XG (S) -PON、NG-PON2
- 25G EML（開発中）: 25GbE ER、50GbE ER、200GbE ER4、400GbE ER8、及び25G E-PON
- 10G EML
- 1.57um +9dBm (10G E-PON、XGS-PON)
- 1.59um +9dBm (NG-PON2) - 25G EML（開発中）
- 1.3um +6dBm
10G/1GbpsバーストモードTIA
- 概要
- アプリケーション
- 特長
- 高感度、低ノイズ
- 高速AGC（自動ゲイン制御）
- 10G-EPON（IEEE規格）準拠
10G/2.5G/1GbpsバーストモードTIA
- 概要
- アプリケーション
- 特長
- 高感度、低ノイズ
- 高速AGC（自動ゲイン制御）
- 10G-EPON、XG (S) -PON、NG-PON2規格準拠