センシング向け部品ラインナップ

UTCフォトミキサモジュール

フォトミキシングをベースにしたTHz波発生は、光変調信号を直接THz信号に変換したり、ASEライクなTHz波を発生できるなど優れた特徴を持っています。
単一走行キャリア（UTC）構造が持つ高速応答性と高光入力領域での線形性の良さから、UTCフォトミキサでは非常に広い帯域と高い出力のTHz波発生に大変有効なデバイスです。
NTTイノベーティブデバイスでは、矩形導波管出力型のUTCフォトミキサ、及びSiレンズを用いたアンテナ集積型UTCフォトミキサを製品化しています。

FMBダイオードモジュール

FMBダイオードは、InP/InGaAsヘテロ構造をベースにした室温動作するショットキーバリアダイオードタイプのTHz検出器です。
ショットキーバリアダイオードでは金属/ 半導体接合による高い障壁エネルギー構造の結果、高い微分抵抗を持つダイオード特性となります。
このため、低雑音かつ広帯域THz受信を実現することは困難でした。
FMBダイオードではInP/InGaAsヘテロ構造を適切に設計・製造することで、低雑音かつ広帯域THz受信特性を初めて実現しました。

100GHz ベースバンドアンプ（IOD-AMP-100）

高周波特性に優れたInP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（InP HBT）ICを実装した超小型ベースバンドアンプです。300kHzから100GHzにわたり8dBの利得の超広帯域性能を確保しながら、入出力部にDCブロック機能を内蔵し、前後の機器との直接接続を可能としています。10mm角と非常に小型なパッケージに実装し、操作性に優れたプッシュオンコネクタ（G3PO互換）を用いることで、使いやすいモジュール形態としています。

220-320GHz帯　電力増幅器（IOD-PA-J）

高周波特性に優れたInP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（InP HBT）ICを実装した電力増幅器です。J帯と呼ばれる超高周波数帯域（220-320GHz）において10dBの電力利得と8dBの飽和出力を実現しています。
入出力部にWR-03導波管が接続可能な使いやすいモジュール形態となっています。

100GHz AMUX（IOD-AMUX-100）/ ADEMUX（IOD-ADEMUX-100）

高周波特性に優れたInP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（InP HBT）ICを実装したアナログマルチプレクサ(AMUX)、アナログデマルチプレクサ（ADEMUX）です。AMUXは2つのDACからの出力信号を線形に合成することでDACの2倍の帯域でのD/A変換を、ADEMUXは広帯域信号を2つの1/2倍の帯域の信号に線形に分離することで、ADCの２倍の帯域でのA/D変換を可能とします。
これらの利用により100GHz帯域超でのD/A変換、A/D変換を実現することが可能となり、任意波形発生器やBit Error Tester（BERT）などの超高速計測器への応用や、200GBd級の光通信への応用が期待されます。

可視、近赤外、中赤外用　波長変換モジュール

NTTイノベーティブデバイス製PPLN導波路を用いた波長変換モジュールです。
PPLNリッジ導波路を用いた二次非線形効果（第二高調波発生、和周波発生、差周波発生）によって可視、近赤外、中赤外域で高い波長変換効率を実現します。
モジュールにはサーミスタとペルチェ素子が実装されており、外部TECコントローラによって温度コントロールが可能です。
カスタムPPLN導波路の作製を承ります。励起光波長とターゲットのSHG/SFG/DFG波長（小数点以下2桁）をご相談ください。

780nm用 SHG波長変換モジュール

PPLNリッジ導波路を実装した780nmSHG用波長変換モジュールです。
PPLN導波路と入力、出力ファイバの光結合はレンズを用いて行われています。
光路中に接着剤は一切ありません。モジュールの電極端子にはサーミスタとペルチェ素子接続されています。1560nmの励起光を入力ファイバコネクタに接続し、外部TECコントローラ-を使って位相整合温度にチューニングすることによって、780nmSHG光を出力することができます。この波長の位相整合帯域幅は励起光波長で0.36nmです。また、位相整合温度の温度係数は0.1nm/deg Cです。

ガス検知用DFBレーザ

近赤外の分子吸収線に対応した1260～2340nmに対応

• 14ピンバタフライ (HF/H₂O/NH₃/CO/H₂S/CH₄/CO₂)
• TO5 with TEC (HF/H₂O/NH₃/CO/CH₄/CO₂)