製品ラインナップ
高出力EML光半導体レーザダイオード
SOAが集積されたEA-DFBレーザチップを搭載したChip on Carrier （CoC）です。様々な光サブアセンブリ（OSA）に利用可能です。
特長
- 10GBaud/25GBaud※/50GBaud※に対応（※planning）
- NRZとPAM4フォーマット生成可能
- SOA集積により高光出力、低消費電力
- 高速・長距離伝送用Ethernetへの適用やPONの長延化・分岐数増大へ寄与
- 従来のEA-DFBレーザから容易に置き換え可能
応用
- NG-PON2、10G-EPON、XGS-PON、25G-PON、50G-PONなどのOLT
- 25G/50G/100G/200G/400G向けEthernet向けトランシーバ
25Gbaud-based APD Chip on Carrier (CoC)アバランシェフォトダイオード（APD）
25Gbuad のAPDチップをキャリアにフリップチップ搭載したChip on Carrier（CoC）です（裏面入射）。NRZおよびPAM4アプリケーションの両方に対応可能で、光サブアセンブリ（OSA）用の部品として利用可能です。
特長
- InP材料を用いた25GBaud対応APD
- IEEE規格の25.78GbpsとITU-T規格の27.95Gbpsに対応
- 高い増倍感度、高Overload耐性
- NRZとPAM4に利用可能
応用
- 25G/50G/100G/200Gbps対応のEthernetやアクセスNW（PON）
10G/1Gbpsバーストモード・トランスインピーダンス・アンプ（TIA）バーストモード・トランスインピーダンス・アンプ（TIA）
10G-EPON(IEEE標準)用の10G/1Gbpsデュアル レートのバーストモード・トランスインピーダンス・アンプ(BM-TIA)
特長
- 高感度、低ノイズ
- 高速AGC（自動ゲイン制御）
応用
- 10G-EPON（IEEE規格）準拠
10G/2.5G/1Gbpsバーストモード・トランスインピーダンス・アンプ（TIA）バーストモード・トランスインピーダンス・アンプ（TIA）
10G/2.5G/1Gbpsマルチレート・バーストモードTIAは、IEEEとITU-T規格(XGS-PON/NG-PON2/10G-EPON)に準拠
特長
- 高感度、低ノイズ
- 高速AGC（自動ゲイン制御）
応用
- 10G-EPON(IEEE規格)、XGS-PON/NG-PON2(ITU-T規格）準拠